分子束外延生長(MBE )是(shi)一(yi)種(zhong)在(zai)高(gao)真(zhen)空(kong)或(huo)超(chao)高(gao)真(zhen)空(kong)環(huan)境(jing)下(xia)，利(li)用(yong)蒸(zheng)發(fa)源(yuan)加(jia)熱(re)而(er)產(chan)生(sheng)的(de)蒸(zheng)氣(qi)，經(jing)小(xiao)孔(kong)準(zhun)直(zhi)後(hou)形(xing)成(cheng)的(de)分(fen)子(zi)束(shu)或(huo)原(yuan)子(zi)束(shu)，直(zhi)接(jie)濺(jian)射(she)到(dao)適(shi)當(dang)溫(wen)度(du)的(de)基(ji)片(pian)，上(shang)，在(zai)目(mu)標(biao)樣(yang)品(pin)表(biao)麵(mian)形(xing)成(cheng)高(gao)純(chun)度(du)薄(bo)膜(mo)的(de)薄(bo)膜(mo)製(zhi)備(bei)技(ji)術(shu)。MBE可在原子尺度上控製薄膜厚度和薄膜純度(能嚴格控製外延層的層厚組分和摻雜濃度)。廣泛應用於:晶體生長、超晶格、金屬、半導體、化合物、有機物薄膜製備、分子自組裝等方麵。

● 設計成熟，可擴展性強
，操作簡便
，易學易用

● 可靠性好
，能保證長時間穩定工作

● 係統功能可根據用戶需求完全定製

● 獨特的樣品加熱設計，樣品溫度可達1600℃

□ 可定製功能：

● 腔體結構、傳樣機構，泵組及其品牌型號

● 樣品尺寸及其加熱方式

● 樣品操作台運動維度和行程

● 蒸發源口徑、溫度

、加熱方式和數量

● 進樣和存樣機構的樣品數量

● 可擴展反射式高能電子衍射儀、紅外測溫儀
、膜厚儀、氣源等

● 程序控製功能

● 腔體可做無磁處理

分子束外延生長係統（MBE）